一、BST铁电薄膜压控微波器件（论文文献综述）
陈含笑[1]（2021）在《钛酸锶钡铁电可调微波介质材料的研究》文中研究表明钛酸锶钡具有优良的压电性、铁电性、介电性、热释电性等性能。钛酸钡的居里温度较高,约为120℃。立方钛酸钡属于m3m点群。可用于热释电探测器、谐振器、存储器、滤波器、移相器等。钛酸锶的居里温度较低,室温时,钛酸锶晶体为立方相。通过改变Ba/Sr比例,可以调节钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3,BST)的居里温度。此外,不同Ba/Sr比例还可影响晶格参数等因素。一般而言,随着Ba含量的增加,BST陶瓷的晶格常数逐渐增大。BST具有较高的介电常数,同时损耗也高。MgO具有较低的介电损耗。为了进一步提高材料的介电常数,并同时降低损耗,可在BST中掺杂具有低损耗的氧化物（如MgO、Al2O3等）。钛酸锶钡在室温条件下具有居里温度可调、漏电流小、非线性强等特点,因而得到广泛应用。本文研究了MgO掺杂量、不同工艺条件对BST微观结构、铁电性能、介电性能的影响。本文采用直接固相烧结法在Ba0.25Sr0.75TiO3（BST）中掺杂氧化镁（MgO）,优化了制备BST陶瓷的工艺参数,研究了BST陶瓷的铁电、介电等性能。随着烧结温度从1250℃上升到1450℃,样品的颗粒逐渐增大。所有样品均具有四方钙钛矿结构,并出现了杂相。同时,随着烧结温度的增加,衍射峰的强度逐渐增强,表明烧结温度的升高促进了晶粒的生长。随着掺杂浓度的增大,衍射峰逐渐向高角度偏移,这表明Mg进入了晶格。由于Mg2+的半径小于Ba2+、Sr2+、Ti4+离子半径,因而引起晶胞参数变小,晶面间距变小。在室温100Hz条件下测得烧结温度为1350℃时掺杂5mol%MgO的BST陶瓷获得最大极化(Pmax)达到8.908μC·cm-2,Pmax与Pr的差值最大为6.767μC·cm-2。说明在1350℃温度下烧结获得的陶瓷样品有着良好的铁电性。利用射频磁控溅射法和快速热退火处理,在高电阻Si基片上制备了MgO掺杂量分别为0%、5%、10%、15%（摩尔比）的Ba0.25Sr0.75TiO3（BST）铁电薄膜。研究了不同掺杂比例和不同退火温度对BST薄膜的微观结构、形貌表征、介电性与铁电性等性能的影响。MgO掺杂的BST薄膜的介电损耗要低于纯的BST薄膜,并且在掺杂浓度为5 mol%时,获得最佳的实验结果。在室温和250 Hz的条件下,测得铁电薄膜样品的矫顽电场强度（Ec）和剩余极化强度（Pr）分别为1.15V/cm和4.06μC/cm2,其介电常数和介电损耗因子分别为370和0.005。
张杰令[2]（2017）在《BaZr0.2Ti0.8O3和BaSn0.15Ti0.85O3薄膜脉冲激光沉积法制备及介电性能研究》文中指出压控介电薄膜材料的介电常数随外加直流电压呈现非线性变化,通过电压的改变来实现对微波信号的振幅、相位、频率的调制,从而压控介电薄膜材料广泛应用信号采集和发射系统。压控介电薄膜材料的研究主要集中于具有钙钛矿结构的铁电材料,其中钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)因具有介电常数大、介电调谐率高的特点一直受到广泛关注。但是,由于介电损耗也较大,因此,这直接导致器件在微波频率的性能下降,大大限制了材料的应用。为了进一步提升材料的性能,大家开始不断尝试新的材料来替代BST。最具代表性的就是锆钛酸钡(BaZrxTi1-xO3,BZT),因其较高的介电常数、较低的介电损耗、较低的漏电流密度成为压控介电材料中强有力的竞争者。但是,传统的溶胶-凝胶法制备的BZT薄膜结晶质量差、薄膜表面粗糙导致材料的介电调谐率和优质因子还远不能满足器件的应用要求。针对当前BZT薄膜微波压控介电材料存在的问题,本论文采用脉冲激光沉积技术制备BZT薄膜,通过改变衬底温度、不同衬底、双层复合BZT薄膜等来揭示衬底温度、衬底、缓冲层对BZT薄膜的晶体结构、微观形貌、介电性能的影响。1、BZT高致密陶瓷靶材采用分温度段退胶、高温固相法合成。氧化物粉末按化学计量比混合研磨,滴加聚乙烯醇作为粘结剂。然后放入高温炉中退胶,高温煅烧,退火得到高致密靶材。靶材的X射线衍射图谱显示多晶结构,四方相,其晶胞参数为a=0.4101nm,c/a=1.001与Pt衬底的晶格常数比较接近,为后续选择薄膜衬底材料提供重要依据。2、基于脉冲激光沉积技术在薄膜生长方面的诸多优势,采用该技术制备BZT薄膜。在Pt衬底上、氧压为15 Pa、激光能量为300 mJ、靶间距为5 cm的条件下选取5个不同衬底温度作为对比,研究衬底温度对薄膜的微观结构和宏观介电性能的影响。结果显示衬底温度为350℃、450℃的薄膜结构松散处于未结晶的状态,薄膜介电常数较小、基本无介电调谐性能;随衬底温度逐渐升高BZT薄膜开始结晶,薄膜的介电常数也逐渐增大,介电调谐性能也不断提升。在750℃下生长的BZT薄膜,表面最致密、结晶最好而且介电调谐率也达到71%、优质系数为81、通信质量因数为8738和介电非线性系数为1.66×1010 J/C4m5,而且漏电流较小。说明较高的衬底温度有利于提升薄膜的介电性能。3、基于衬底的选择在薄膜制备中减小适配度占据重要地位,选取Pt-Si、透明导电玻璃FTO、ITO三种衬底作为研究对象。在衬底温度为650℃、氧压为15 Pa、激光能量为300 mJ、靶间距为60 mm的条件下制备BZT薄膜。在Pt-Si衬底上的BZT薄膜的晶体具有高度择优的（110）取向,同时薄膜的表面致密,结晶质量明显较好。所以在Pt-Si上的BZT薄膜得到较高介电常数和较低的介电损耗（598.2和0.054）,在同时也获得最大的调谐率68.5%。说明Pt-Si更有利于生长介电性能较好的BZT薄膜。4、缓冲层对薄膜性能的影响。在Pt衬底上、衬底温度为750℃、氧压为15 Pa、激光能量为300 mJ、靶间距为60 mm的条件下设计了BZT、BTS分别作为缓冲层的复合薄膜与各自的单层膜的对比,结果表明有缓冲层存在有利于薄膜的择优取向而且薄膜的结晶较好,BTS作为缓冲层沉积的BZT薄膜的介电常数较大（450）,介电损耗较低（0.02）。说明缓冲层的存在可以大大降低薄膜介电损耗。
陈生田[3]（2016）在《脉冲激光沉积法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其介电性能的研究》文中认为压控调谐介质材料因为在移相器、滤波器、电压可调谐振器和容量可调电容器等电子电路元器件中的广泛应用而成为研究的热点。目前有关研究主要集中于钛酸锶、钛酸锶钡等材料。其中,广泛被研究的钛酸锶钡材料具有很多优点,比如,介电常数高、介电损耗相对较低、电压调谐率高、居里温度容易调控、抗击穿能力强、制造工艺简单等,成为了最重要也是应用最广泛的电场可调电介质材料。然而,虽然研究者对以钛酸锶钡为代表的压控调谐介质材料进行了大量的研究工作,取得了许多有意义的成果,但是这类材料在实际应用中的局限性仍然没有被完全克服。钛酸锶钡薄膜结晶温度高、损耗大、漏电流密度大的问题依然存在,大大限制了其工业化应用。因此,在对钛酸锶钡压控调谐介质材料继续进行改良研究的同时也一直在努力寻找性能更优异的替代材料。近年来,研究发现锡钛酸钡介质材料同样具有很强的压控调谐介电性能,且介电损耗小,是一种在压控调谐介质器件方面具有广阔应用前景的介质材料。锡钛酸钡是一个由钛酸钡和锡酸钡组成的二元固溶体系,它们晶体结构类似,都具有ABO3型钙钛矿结构,二者能无限固溶。跟其它钛酸钡基固溶体类似,锡钛酸钡的性能可以通过组分和显微结构来进行调节。锡钛酸钡里的锡元素的作用和锆钛酸钡里锆元素的作用类似,使固溶体介电常数的峰值向低温移动。如果固溶体中锡元素所占的比例适当,可使介电常数峰值大幅度的增大;且随着固溶体中锡元素的比例继续增大,峰值会出现一定程度的降低但是峰的宽度会增加,这样就实现了控制调节居里温度附近的介电常数以及介电常数随温度的变化幅度。目前,国内外对锡钛酸钡陶瓷的介电性质有了一定的研究报道,而对锡钛酸钡薄膜的介电性能的研究却比较少,众所周知,由于“尺寸效应”的影响,薄膜材料与其对应的块状陶瓷相比,无论是物理性质还是电学性能都有很大差异,绝不能简单的把薄膜看成是块状材料在尺寸上的减薄。为了促进锡钛酸钡薄膜的进一步应用,我们使用脉冲激光法来沉积锡钛酸钡薄膜,通过改变温度、氧压、基底、退火温度等变量来摸索薄膜的最优制备条件,取得了一些有意义的成果。通过研究发现,使用脉冲激光沉积法制备锡钛酸钡薄膜的最佳衬底温度是650°C、最优氧压为15 Pa,在该条件下沉积的锡钛酸钡薄膜介电常数为341,调谐率高达72%,损耗可以低至10-3量级,品质因数为81.1,最低的漏电流密度为5.9×10-10 cm2,这种高调谐、低损耗、合适介电常数、低漏电流密度的特点可使锡钛酸钡薄膜在可调微波器件领域具有广阔的应用前景。
吕纯[4]（2015）在《BMT/PZT复合薄膜的制备及性能研究》文中研究说明介质薄膜材料以其优异的介电、铁电、热释电性能在移动通信、卫星系统、雷达等电子系统中有着巨大的应用前景。但功能应用不同的电子器件,对材料性能的要求不一样,在实际应用中单独的一种材料很难满足应用的要求,例如Pb（Zr0.52Ti0.48）O3薄膜材料具有优异的压电、铁电性能,但其损耗和漏电流较大,会导致铁电存储器失效;Ba（Mg1/3Ta2/3）O3薄膜具有优良的微波介电性能,但其介电常数较小,无法满足微波器件日益小型化的要求,在一定程度上限制了PZT薄膜和BMTa薄膜材料的应用。为了提高材料的综合性能,满足不同电子器件的应用要求,人们常将两种或多种不同性能的材料进行复合来改善材料的性能。本文分别采用溶胶-凝胶法和水溶液-凝胶法制备了PZT薄膜和BMTa薄膜。研究了退火温度、涂覆层数对PZT薄膜及BMTa薄膜的影响。结果表明,退火温度过高或过低都不利于薄膜晶粒的成核与生长。在退火温度为750℃、涂覆层数为9层时,PZT薄膜微观形貌致密、晶粒生长完整、尺寸均匀、无孔洞、具有相对较好的介电性能,在频率为100kHz下,介电常数εr=1600.7,介电损耗tanδ=0.098;在外加电场为15V下,2Pr=56.76μC/cm2,2Ec=105.30 kV/cm。制备的BMTa薄膜表面致密,涂覆层数对其微观形貌和介电性能影响不大,100kHz下,介电常数约为19,介电损耗约为0.025。设计并制备了两种不同结构的BMTa/PZT复合薄膜（P/B型和B/P型）,研究表明BMTa薄膜层的引入可以促进PZT薄膜晶粒的长大、降低PZT薄膜的介电常数、介电损耗以及漏电流。在2V的外加电压下,具有4层BMTa薄膜的P/B型复合薄膜与纯PZT薄膜相比,其漏电流从4.43×10-6 A/cm2降到5.45×10-7 A/cm2,降低了约一个数量级,随着BMTa薄膜厚度的增加,P/B复合薄膜的剩余极化值和矫顽场增大。制备的B/P型BMT/PZT复合薄膜具有较高的介电常数,较低的介电损耗。在B/P型复合薄膜中当PZT薄膜的厚度约为400nm、BMTa薄膜的厚度约为345nm时,BMT/PZT复合薄膜的介电常数εr=44.5,介电损耗tanδ=0.029,与均质BMT薄膜相比,在不增加薄膜介电损耗的基础上,B/P型复合薄膜的介电常数有较大幅度提高,并且可以通过改变PZT薄膜的厚度来调节B/P型BMT/PZT薄膜的介电常数。
谭宇[5]（2015）在《铁电薄膜可调微带带通滤波器的研制》文中进行了进一步梳理微波滤波器作为现代通信系统必不可少的元件,广泛应用于移动通信、雷达、卫星定位与导航、电子对抗、无线遥感等领域。随着电磁环境越来越复杂和频道越来越拥挤,有限的频谱资源已无法满足人们日益增加的需求。基于BST铁电薄膜的可调滤波器因其调谐速度快、体积小、与微电子工艺兼容且适应于多频道等优点而越来越得到重视。因此,本文设计并制作了一种铁电薄膜可调微带带通滤波器。研究内容和主要结论如下:1、采用射频磁控溅射在单晶蓝宝石基片上制备了BST铁电薄膜。针对基片与薄膜热膨胀系数不同,改进了薄膜的退火工艺,避免了薄膜表面出现微裂纹的现象。利用MIM电容结构,测试了BST铁电薄膜的C-V特性曲线,确定了BST铁电薄膜的介电常数为185.5,损耗小于0.02,介电系数可调率为45%等参数。2、根据教研室已有的微波器件设计经验和方法,得出滤波器的主要设计参数。设计了5阶梳状线带通滤波器,并采用平面电路仿真软件ADS和三维电磁场仿真软件HFSS对器件进行仿真。仿真结果显示其中心频率为900MHz,3dB带宽约为10%,带内插损小于2dB（不考虑薄膜介电损耗）,带外抑制小于-50dB,中心频率附近电压驻波比小于1.25。3、研究了铁电薄膜可调微带带通滤波器的详细制备工艺流程,着重分析了光刻工艺图形化BST薄膜介质层和上电极的过程及电镀加厚的工艺过程中,工艺误差对器件性能的影响。在蓝宝石基片上成功制作出了可调带通滤波器,并封装测试。对比仿真结果,器件的中心频率偏移到1.15GHz,插损大于13d B,较设计有所偏大,其他性能满足设计要求。在10V和20V直流偏压下,器件的中心频率较未加电压时分别向高频方向移动了70MHz和180MHz,调谐率为14.6%。4、优化了器件的结构,研究了器件表面电磁场分布。利用原有结构,仅改变了调谐电容部分,就几乎消除了BST铁电薄膜的损耗对器件插入损耗的影响。运用器件表面电磁场的动态分布分析了产生该现象的原因。最后,研究了如何优化器件制作工艺以提高器件的性能。
朱典全[6]（2014）在《微带天线加载BST铁电薄膜可重构技术研究》文中研究说明随着具有大容量、超宽带等特征的综合信息系统的迅猛发展,同一载体上需要的信息子系统数量不断增加,这使得接收和发送信息的天线数量也相应增加。同一载体上天线数量的增加将产生诸多问题,如负重增加、天线间电磁干扰等,采用具有多天线功能的单一天线可以很好的解决上述问题,此单一天线定义为可重构天线。在可重构天线中,以微带天线为载体的研究最为广泛,原因在于微带天线所固有的重量轻、低成本、低剖面、易于与物体共形等特点。传统的微带天线往往通过控制PIN二极管或MEMS开关的通断来实现频率、方向图或极化方式可重构。本文研究了一种新颖的可重构方法,即在微带天线上加载BST（钛酸锶钡）铁电薄膜实现频率和方向图可重构,其具有参数调节方便、频率连续可调、电场分布均匀等特点。本文主要对以下两个方面进行了研究:1.微带天线加载BST铁电薄膜频率可重构技术研究研究了BST铁电薄膜不同加载位置（辐射贴片底部和四周）和参数（宽度和厚度）对谐振频率、输入阻抗和方向图的影响情况;在普通微带贴片天线中的辐射贴片底部和四周加载BST铁电薄膜实现了频率可重构;在微带偶极子天线中的对称阵子臂底部和四周加载BST铁电薄膜实现了频率可重构。2.微带八木天线加载BST铁电薄膜方向图可重构技术研究研究了两单元微带八木天线加载BST铁电薄膜的情况,改变加载于无源贴片底部和四周的BST铁电薄膜介电常数值,实现了无源贴片引向功能和反射功能的相互转换;在三单元微带八木天线中的两无源贴片底部和四周均加载BST铁电薄膜,改变两者介电常数值的相对大小,实现了方向图可重构;对方向图可重构中出现的工作频率处谐振深度不够好、方向图副瓣电平较高的问题进行了分析,通过在有源贴片上开槽对问题进行了较好的解决,构成了改进的可重构三单元微带八木天线。
秦超[7]（2014）在《L波段可调滤波器的制作与优化》文中进行了进一步梳理随着信息时代的发展,信道拥挤现象越来越严重,为了提高频谱利用率,要求单一的通信系统能够覆盖不同的通信信道实现跳频通讯（通信信道可调可切换）。而可调滤波器作为跳频通讯技术中的核心部件更是受到了人们广泛关注。其中铁电可调滤波器由于体积小、响应速度快、易集成等特点成为了搭建低成本、高性能跳频通讯平台最具潜力的选择。依据实验室现有的工艺条件,本文研究内容和结果如下:1.通过降低退火温度和降温速率,有效地避免了由于蓝宝石和BST材料的热膨胀系数不同而导致的薄膜开裂现象。并且根据所制作的MIM结构电容的测试结果,确定了蓝宝石基片上所制作的BST铁电薄膜的介电系数约为160,介电可调率大于40%（40V偏压）,介电损耗小于0.02等重要参数。2.针对上电极在加厚过程中很容易导致器件细微结构短路这种情况,提出了外电路连接的上电极加厚方法。通过实验对比发现采用这种方法可以有效避免上电极在加厚过程中出现的短路现象,并且在器件制作过程中减少了一次对准光刻,简化了工艺步骤的同时在一定程度上减小了由于对位不精确带来的制作偏差,更好的控制了上电极图形的精度。3.采用改进后的制备工艺,成功地在蓝宝石基片上制作了谐振频率约为1.14GHz的梳状线可调滤波器。并且通过对上电极加厚处理使器件的插入损耗减小8dB。对器件性能进行分析,根据实测结果对滤波器的原有结构进行了优化仿真。4.采用电路仿真软件ADS和电磁仿真软件HFSS设计了一中心频率为890MHz的集总LC可调滤波器,3dB带宽约为180MHz。调谐电容介质材料的介电可调率设为30%时,滤波器的中心频率由890MHz移动到1080MHz,调谐率约为21.3%。器件采用薄膜平板大电容作为偏置电路的隔直电路,使滤波器可以直接通过端口加载直流信号进行调谐,这种无加压点的设计大大降低了器件制作和封装的难度。最后通过仿真结果验证了设计的可行性。
程从琳[8]（2013）在《基于BST铁电薄膜的可调谐微带天线机理及其关键技术的研究》文中认为随着无线通讯技术的发展，基于BST铁电薄膜材料并不改变自身结构就可覆盖多频段的可调谐天线已经成为当前研究的一个主要方向。从发展趋势看，将来不同频段的移动业务同时工作在一个核心网络平台下是必然的，因此可调谐微带天线是该网络平台的一种便利的选择。作为一种新兴技术，对以BST铁电薄膜材料为基础的可调谐天线的研究还处于初期阶段。针对于此，本文提出了通过采用BST（钛酸锶钡）铁电薄膜材料作为微带天线介质的组成部分，利用该材料良好的压电性能，通过改变外加电场来改变其有效介电常数，以实现窄带天线在较宽频带内工作可调谐的目标。本文针对当前移动通信中的所需的23GHz频段设计了基于压控铁电薄膜材料的可调谐天线并进行了相应的理论分析与计算，采用相关的微带天线分析方法对各种形状的贴片天线，如矩形、矩形阵列和八木形等多种典型微带天线结构进行建模与仿真，并引入BST（钛酸锶钡）铁电材料，改变铁电薄膜的介电常数，采用阻抗匹配结构，优化可调谐天线性能，有针对性的分析了可调谐微带天线的可行性，借用仿真软件总结天线的调谐特性，提出了相应的创新点和规律性结论。本文最后归纳总结了本设计中可调谐天线的研究实现成果，对相关模型的性能参数进行了描述与验证，展现了所设计天线的良好调谐性能和辐射性能，具有较大的应用价值。本文设计的可调谐天线极大的拓展了天线频率带宽，实现了天线可调谐的目的，具有广阔的推广前景。
王文君[9]（2013）在《基于BST薄膜的可调微波滤波器设计》文中指出宽带通信中跳频通讯系统的发展促使了对智能射频前端的广泛研究，而作为智能前端中核心元件的可调滤波器更是研究的焦点。由于以铁电薄膜电容作为调谐元件的可调滤波器具有响应速度快、高频损耗小、可调率较高、生产成本低等特点成为了国内外军事、高校等科研机构的研究热点。因此，本文采用滤波器基础理论对铁电可调滤波器进行设计，同时制作了滤波器实物进行验证，研究内容和主要结论如下：1．设计了中心频率为870MHz的5阶梳状线微带带通可调滤波器。其偏压隔离结构设计应用BST偏压电容作为隔直加压结构，采用宽度为20μm的高阻连线连接各谐振器。与传统等电容外加偏压电阻相比，可以较少偏压点或直接通过信号线加压，简化了滤波器制作和直流偏压过程。EM仿真结果为：梳状线滤波器的3dB带宽为9.2%；调谐率为36%时中心频率可调率为14%，回波损耗优于15dB。在介质损耗为0.02时，插入损耗为4.9dB。2．设计了中心频率为7.8GHz的4阶半波长开环带通可调滤波器。其偏压隔离设计中应用宽8μm、厚80nm的高阻薄带连接各谐振器，采用宽8μm的四分之一波长高阻线连接边缘地； EM仿真结果为：开环滤波器的带宽为8.2%，设定调谐率为33%时中心频率可调率为12.8%，回波损耗优于12dB。在介质损耗为0.02时，插入损耗为4.65dB。3．模拟了工艺误差对器件性能的的影响：上电极厚度在23μm的范围内时对器件无影响；光刻和刻蚀工艺中的单边绝对误差超过2μm时，容易引起BST电容的短路; BST电容薄膜的介电性能偏差过大时，会增加插损并使反射增大。4．通过完整的工艺流程制作出铁电可调滤波器的原型器件，其中心频率为1.42GHz，插损约10dB；在30V直流偏压下中心频率可调40MHz；验证了结构设计的可行性和滤波器可调特性。
徐云辉,朱小红,李娜,王旭,何豫生[10]（2012）在《铁电（Ba,Sr）TiO3及介电Bi2O3-ZnO-Nb2O5薄膜材料应用于电调谐微波器件研究进展》文中提出铁电钛酸锶钡BaxSr1-xTiO3（BST）是一种拥有十分优越铁电/介电性能的材料,在可调谐微波器件方面具有很好的应用前景。本文概括介绍了BST薄膜的研究意义、基本结构、薄膜的制备方法,并针对可调谐微波器件应用需求,详细探讨了通过掺杂、组分梯度变化、纳米铁电多层薄膜以及将铁电BST与新型介电Bi2O3-ZnO-Nb2O5（BZN）薄膜相结合等对铁电薄膜性能进行优化的手段,最后对该领域的前沿问题从材料研究层面作了小结与展望。
二、BST铁电薄膜压控微波器件（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、BST铁电薄膜压控微波器件（论文提纲范文）
（1）钛酸锶钡铁电可调微波介质材料的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 铁电体 |
| 1.2.1 自发极化 |
| 1.2.2 电滞回线 |
| 1.2.3 铁电畴 |
| 1.3 钛酸锶钡铁电体 |
| 1.3.1 钙钛矿结构 |
| 1.3.2 极化机理 |
| 1.4 BST材料的研究现状 |
| 1.5 BST微波介质材料的改性方法 |
| 1.6 本文主要创新点 |
| 第2章 陶瓷制备与测试方法 |
| 2.1 陶瓷制备设备简介 |
| 2.1.1 行星球磨机 |
| 2.1.2 电动压片机 |
| 2.1.3 高温管式炉 |
| 2.1.4 高真空蒸发镀膜系统 |
| 2.2 结构与形貌表征 |
| 2.2.1 AFM仪器组成及成像基本原理 |
| 2.2.2 X射线衍射(XRD) |
| 2.3 铁电与介电性能测试 |
| 2.3.1 铁电测试仪 |
| 2.3.2 阻抗分析仪 |
| 第3章 MgO掺杂BST陶瓷 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 陶瓷的制备工艺 |
| 3.2.1 固相烧结法 |
| 3.2.2 BST的制备流程 |
| 3.3 纯BST陶瓷的制备 |
| 3.4 掺杂MgO陶瓷的制备 |
| 第4章 实验结果与分析 |
| 4.1 BST陶瓷的形貌表征 |
| 4.2 BST陶瓷的XRD分析 |
| 4.3 BST陶瓷铁电性能的测试与分析 |
| 4.4 BST陶瓷阻抗的测试与分析 |
| 4.5 小结 |
| 第5章 MgO掺杂BST薄膜的阻抗特性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 BST薄膜的制备方法 |
| 5.2.1 射频溅射镀膜系统 |
| 5.2.2 磁控溅射的原理及优点 |
| 5.3 掺杂MgO薄膜的制备工艺 |
| 5.4 BST薄膜结构与性能分析 |
| 5.5 小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 本文主要结论 |
| 6.2 后续工作展望 |
| 参考文献 |
| 附录1 攻读硕士期间科研成果 |
| 致谢 |
（2）BaZr0.2Ti0.8O3和BaSn0.15Ti0.85O3薄膜脉冲激光沉积法制备及介电性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 微波压控介电材料 |
| 1.2.1 微波压控介电材料的研究近况 |
| 1.2.2 微波压控薄膜材料 |
| 1.2.3 微波压控介电薄膜材料的分类 |
| 1.3 锆钛酸钡铁电材料 |
| 1.3.1 铁电材料概述 |
| 1.3.2 BZT铁电材料的晶体结构 |
| 1.3.3 BZT材料的研究现状 |
| 1.4 锡钛酸钡材料 |
| 1.5 本文的主要工作 |
| 参考文献 |
| 第二章 锆钛酸钡薄膜的制备及表征方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 薄膜制备方法 |
| 2.2.1 溶胶-凝胶法 |
| 2.2.2 磁控溅射法 |
| 2.2.3 脉冲激光沉积技术 |
| 2.3 表征方法 |
| 2.3.1 微观结构的表征 |
| 2.3.2 电学性能测试 |
| 2.4 电极的制备方法 |
| 2.4.1 离子溅射仪 |
| 2.4.2 DM220型高真空镀膜台 |
| 2.5 本章主要内容 |
| 参考文献 |
| 第三章 不同衬底温度的BZT薄膜的介电性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验工艺 |
| 3.2.1 锆钛酸钡陶瓷靶材的制备 |
| 3.2.2 BZT薄膜的制备 |
| 3.3 不同衬底温度对BZT薄膜介电性能的影响 |
| 3.3.1 BZT薄膜的晶体结构随衬底温度变化的研究 |
| 3.3.2 BZT薄膜的形貌分析 |
| 3.3.3 BZT薄膜的介电性随衬底温度变化的研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 在不同衬底上沉积的BZT薄膜以及BZT和BTS单双层复合薄膜的性质研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 薄膜的制备 |
| 4.3 不同衬底上生长的BZT薄膜的性质研究 |
| 4.3.1 不同衬底上生长的BZT薄膜的晶体结构分析 |
| 4.3.2 不同衬底上生长的BZT薄膜的表面形貌研究 |
| 4.3.3 衬底对BZT薄膜电学性质的影响 |
| 4.4 BZT和BTS双层复合膜的介电特性质研究 |
| 4.4.1 BZT和BTS复合膜的制备 |
| 4.4.2 薄膜晶体结构特性的研究 |
| 4.4.3 BZT和BTS复合薄膜的微观形貌研究 |
| 4.4.4 BZT和BTS复合膜的介电常数随频率的变化该关系 |
| 4.4.5 BZT和BTS复合膜的介电调谐特性的研究 |
| 4.4.6 BZT和BTS复合膜的漏电流密度测试 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 总结 |
| 攻读硕士期间发表的论文 |
| 致谢 |
（3）脉冲激光沉积法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其介电性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 电介质材料 |
| 1.2.1 电介质材料概述 |
| 1.2.2 压控调谐介质薄膜材料 |
| 1.2.3 压控调谐介质薄膜材料的种类 |
| 1.3 BaSn_xTi_(1-x)O_3材料 |
| 1.3.1 钛酸钡的简介 |
| 1.3.2 锡钛酸钡的简介 |
| 1.3.3 锡钛酸钡的研究进展 |
| 1.4 课题的研究内容及意义 |
| 1.4.1 研究意义 |
| 1.4.2 主要内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 制备技术及表征方法 |
| 2.1 前言 |
| 2.2 制备技术 |
| 2.2.1 磁控溅射沉积 |
| 2.2.2 脉冲激光沉积 |
| 2.3 表征方法 |
| 2.3.1 微观结构表征 |
| 2.3.2 电学性能测试 |
| 2.3.3 光学性能测试 |
| 参考文献 |
| 第三章 氧压、衬底温度对BTS薄膜性能影响的研究 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.2.1 BTS陶瓷靶材的制备 |
| 3.2.2 BTS薄膜的制备 |
| 3.2.3 BTS薄膜样品的表征 |
| 3.3 氧压对BTS薄膜的影响分析 |
| 3.3.1 氧压对BTS薄膜晶体结构的影响 |
| 3.3.2 氧压对BTS薄膜微观形貌的影响 |
| 3.3.3 氧压对BTS薄膜介电性能的影响 |
| 3.3.4 BTS薄膜的光学透过率 |
| 3.4 衬底温度对BTS薄膜的影响分析 |
| 3.4.1 衬底温度对BTS晶体结构的影响 |
| 3.4.2 衬底温度对BTS薄膜表面形貌的影响 |
| 3.4.3 衬底温度对BTS薄膜介电性能的影响 |
| 3.4.4 衬底温度对BTS薄膜漏电流密度的影响 |
| 3.4.5 衬底温度对BTS薄膜铁电性能的影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 退火温度对Pt/BTS/M薄膜器件介电性能影响的研究 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 实验过程 |
| 4.2.1 BTS薄膜的制备及退火处理 |
| 4.2.2 退火处理后BTS薄膜样品的表征 |
| 4.3 退火温度对Pt/BTS/ITO薄膜器件的影响 |
| 4.3.1 退火温度对晶体结构的影响 |
| 4.3.2 退火温度对微观形貌的影响 |
| 4.3.3 退火温度对介电性能的影响 |
| 4.4 退火温度对Pt/BTS/FTO薄膜器件的影响 |
| 4.4.1 退火温度对晶体结构的影响 |
| 4.4.2 退火温度对微观形貌的影响 |
| 4.4.3 退火温度对介电性能的影响 |
| 4.5 退火温度对Pt/BTS/Pt薄膜器件的影响 |
| 4.5.1 退火温度对晶体结构的影响 |
| 4.5.2 退火温度对微观形貌的影响 |
| 4.5.3 退火温度对介电性能的影响 |
| 4.6 不同基底制备的BTS薄膜介电性能的比较 |
| 4.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 主要结论 |
| 5.2 展望 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文目录 |
| 致谢 |
（4）BMT/PZT复合薄膜的制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 介质薄膜 |
| 1.1.1 介质薄膜体系 |
| 1.1.2 介质薄膜的制备方法 |
| 1.2 介质薄膜的发展趋势 |
| 1.3 本论文的目的、意义与研究内容 |
| 第2章 实验方法 |
| 2.1 实验原料与设备 |
| 2.2 Ba(Mg1/3Ta2/3)O3前驱体溶液的制备 |
| 2.2.1 过氧化柠檬酸钽(P-Ta-CA)溶液的制备 |
| 2.2.2 Ba(Mg1/3Ta2/3)O3前驱体溶液的制备 |
| 2.3 PZT前驱体溶胶的制备 |
| 2.4 薄膜的制备 |
| 2.4.1 基片的选择与清洗 |
| 2.4.2 薄膜制备的工艺流程 |
| 2.4.3 BMTa/PZT复合薄膜的结构设计与制备 |
| 2.5 薄膜结构与性能的表征方法 |
| 2.5.1 热分析（Thermal Analysis，TA） |
| 2.5.2 X射线衍射(X-Ray Diffraction) |
| 2.5.3 扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope) |
| 2.5.4 原子力显微镜（AFM） |
| 2.5.5 铁电性能测试 |
| 2.5.6 介电性能测试 |
| 第3章 PZT、P/B型薄膜的结构和性能研究 |
| 3.1 退火温度对PZT薄膜的影响 |
| 3.1.1 退火温度对PZT薄膜相结构的影响 |
| 3.1.2 退火温度对PZT薄膜形貌的影响 |
| 3.1.3 退火温度对PZT薄膜性能的影响 |
| 3.2 薄膜厚度对PZT薄膜的影响 |
| 3.2.1 薄膜厚度对PZT薄膜相结构的影响 |
| 3.2.2 薄膜厚度对PZT薄膜形貌的影响 |
| 3.2.3 薄膜厚度对PZT薄膜性能的影响 |
| 3.3 BMTa薄膜厚度对P/B型复合薄膜的影响 |
| 3.3.1 BMTa薄膜厚度对P/B型复合薄膜相结构的影响 |
| 3.3.2 BMTa薄膜厚度对P/B型复合薄膜形貌的影响 |
| 3.3.3 BMTa薄膜厚度对P/B型复合薄膜性能的影响 |
| 3.3.4 BMTa薄膜厚度对P/B型复合薄膜漏电流的影响 |
| 第4章 BMTa、B/P型薄膜的结构与性能研究 |
| 4.1 薄膜厚度对BMTa薄膜的影响 |
| 4.1.1 薄膜厚度对BMTa薄膜相结构的影响 |
| 4.1.2 薄膜厚度对BMTa薄膜形貌的影响 |
| 4.1.3 薄膜厚度对BMTa薄膜介电性能的影响 |
| 4.2 PZT薄膜厚度对B/P型复合薄膜的影响 |
| 4.2.1 PZT薄膜厚度对B/P型复合薄膜相结构的影响 |
| 4.2.2 PZT薄膜厚度对B/P型复合薄膜形貌的影响 |
| 4.2.3 PZT薄膜厚度对B/P型复合薄膜性能的影响 |
| 第5章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 硕士期间发表论文 |
（5）铁电薄膜可调微带带通滤波器的研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 可调滤波器的基本原理及分类 |
| 1.2.1 机械调谐滤波器 |
| 1.2.2 磁调谐滤波器 |
| 1.2.3 电调谐滤波器 |
| 1.3 铁电材料及可调滤波器的研究现状 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 BST薄膜制备与性能研究 |
| 2.1 BST材料结构与性能 |
| 2.2 BST薄膜制备方法及其特点 |
| 2.3 BST铁电薄膜制备过程 |
| 2.3.1 基片选择及底电极制备 |
| 2.3.2 射频磁控溅射BST薄膜 |
| 2.3.3 薄膜电容上电极制作 |
| 2.4 BST薄膜的性能测试结果及分析 |
| 2.4.1 X-ray Diffraction (XRD)测试 |
| 2.4.2 Atomic Force Microscope (AFM)测试 |
| 2.4.3 BST薄膜厚度的测量 |
| 2.4.4 C-V测试 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 可调滤波器的设计与仿真 |
| 3.1 微波滤波器基础理论 |
| 3.1.1 微波滤波器的分类 |
| 3.1.2 微波可调滤波器的主要参数 |
| 3.1.3 散射参量S |
| 3.1.4 微带滤波器损耗的影响因素 |
| 3.2 可调微带带通滤波器的设计 |
| 3.2.1 设计原理 |
| 3.2.2 理论计算 |
| 3.2.3 版图结构 |
| 3.3 微带可调带通滤波器的仿真分析 |
| 3.4 工艺因素对器件性能影响的仿真分析 |
| 3.4.1 薄膜介电常数和损耗对器件性能的影响 |
| 3.4.2 制作过程中的误差对器件性能的影响 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 铁电薄膜可调微带带通滤波器的工艺制作与测试 |
| 4.1 铁电薄膜可调微带带通滤波器的制作工艺 |
| 4.1.1 光刻工艺简介 |
| 4.1.2 BST铁电薄膜图形化 |
| 4.1.3 上电极图形化 |
| 4.1.4 上电极电镀加厚 |
| 4.2 铁电薄膜可调微带带通滤波器的测试 |
| 4.2.1 器件的封装 |
| 4.2.2 测试仪器 |
| 4.2.3 测试结果及分析 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 可调微带带通滤波器的优化 |
| 5.1 器件的结构优化 |
| 5.2 器件制作工艺的优化 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻硕期间取得的研究成果 |
（6）微带天线加载BST铁电薄膜可重构技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 研究意义 |
| 1.3 国内外研究现状 |
| 1.4 本论文的研究内容和主要工作 |
| 第二章 微带天线基本理论 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 微带天线的分析方法 |
| 2.3 微带天线的基本参数 |
| 2.4 微带天线的馈电方式 |
| 2.5 微带天线的设计与验证 |
| 2.6 小结 |
| 第三章 微带天线加载BST铁电薄膜频率可重构技术研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 BST铁电薄膜基本理论 |
| 3.3 加载BST铁电薄膜的微带天线频率可重构机理 |
| 3.3.1 BST铁电薄膜加载位置对谐振频率的影响 |
| 3.3.1.1 辐射贴片底部加载BST铁电薄膜对谐振频率的影响 |
| 3.3.1.2 辐射贴片周围加载BST铁电薄膜对谐振频率的影响 |
| 3.3.2 BST铁电薄膜参数对谐振频率的影响 |
| 3.3.2.1 BST铁电薄膜宽度对谐振频率的影响 |
| 3.3.2.2 BST铁电薄膜厚度对谐振频率的影响 |
| 3.4 微带天线加载BST铁电薄膜实现频率可重构 |
| 3.4.1 微带贴片天线加载BST铁电薄膜实现频率可重构 |
| 3.4.2 微带偶极子天线加载BST铁电薄膜实现频率可重构 |
| 3.4.2.1 对称振子天线基本理论 |
| 3.4.2.2 微带偶极子天线基本结构 |
| 3.4.2.3 微带偶极子天线加载BST铁电薄膜实现频率可重构 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 微带八木天线加载BST铁电薄膜方向图可重构技术研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 微带八木天线的基本特性 |
| 4.3 两单元微带八木天线的辐射特性 |
| 4.4 加载BST铁电薄膜的无源贴片引向功能和反射功能相互转换 |
| 4.4.1 有源贴片四周加载BST铁电薄膜对频率特性和辐射特性影响 |
| 4.4.2 两贴片四周均加载BST铁电薄膜对频率特性和辐射特性影响 |
| 4.4.3 无源贴片四周加载BST铁电薄膜对频率特性和辐射特性影响 |
| 4.5 三单元微带八木天线加载BST铁电薄膜方向图可重构研究 |
| 4.5.1 三单元微带八木天线的辐射特性 |
| 4.5.2 三单元微带八木天线加载BST方向图可重构研究 |
| 4.5.3 改进的可重构三单元微带八木天线 |
| 4.6 小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（7）L波段可调滤波器的制作与优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 可调滤波器分类及工作原理 |
| 1.2.1 机械调谐滤波器 |
| 1.2.2 YIG调谐滤波器 |
| 1.2.3 MEMS调谐滤波器 |
| 1.2.4 变容二极管调谐滤波器 |
| 1.2.5 铁电调谐滤波器 |
| 1.3 铁电可调滤波器研究现状 |
| 1.4 本文的研究内容 |
| 第二章 BST薄膜制备与性能研究 |
| 2.1 BST材料结构与性能 |
| 2.2 BST薄膜制备技术及特点 |
| 2.2.1 溶胶-凝胶法 |
| 2.2.2 脉冲激光沉积法 |
| 2.2.3 金属有机化学气相沉积法 |
| 2.2.4 磁控溅射法 |
| 2.3 BST薄膜电容制备 |
| 2.3.1 BST铁电薄膜制备 |
| 2.3.2 BST铁电薄膜电容制备工艺 |
| 2.4 BST铁电薄膜性能测试 |
| 2.5 小结 |
| 第三章 可调滤波器制作工艺研究 |
| 3.1 光刻工艺简述 |
| 3.1.1 光刻工艺基本流程 |
| 3.1.2 接触式光刻工艺 |
| 3.1.3 光刻胶物理性质对器件的影响 |
| 3.1.4 刻蚀工艺对器件的影响 |
| 3.2 BST铁电薄膜可调滤波器工艺流程 |
| 3.3 BST 铁电薄膜变容管介质层制备 |
| 3.4上电极的制备 |
| 3.4.1 上电极金属层的制备 |
| 3.4.2 上电极的图形化与加厚 |
| 3.5 小结 |
| 第四章 可调滤波器测试与优化 |
| 4.1 可调滤波器的实际结构 |
| 4.2 铁电薄膜可调滤波器的测试与分析 |
| 4.2.0 铁电薄膜可调滤波器的封装与测试方法 |
| 4.2.1 铁电薄膜电容低频测试与分析 |
| 4.2.2 可调滤波器测试与分析 |
| 4.3 可调滤波器的结构优化 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 集总LC可调滤波器设计 |
| 5.1 集总元件滤波器设计原理 |
| 5.2 滤波器的电路结构设计 |
| 5.3 滤波器的物理结构设计 |
| 5.3.1 集总电感的结构 |
| 5.3.2 谐振单元的结构 |
| 5.3.3 滤波器的基本结构 |
| 5.4 滤波器的整体仿真及调谐 |
| 5.5 小结 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻硕期间取得的研究成果 |
（8）基于BST铁电薄膜的可调谐微带天线机理及其关键技术的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 课题研究意义 |
| 1.3 课题研究的发展现状 |
| 1.4 课题研究的内容 |
| 第二章 可调谐微带天线的理论研究 |
| 2.1 微带天线在可调谐天线中的作用 |
| 2.1.1 微带天线的简介 |
| 2.1.2 微带天线的基本参数 |
| 2.2 可调谐微带天线的结构分析 |
| 2.3 可调谐微带天线的工作原理 |
| 2.3.1 辐射原理 |
| 2.3.2 可调谐机理 |
| 2.4 可调谐微带天线的馈电方式 |
| 2.4.1 电磁耦合馈电 |
| 2.4.2 同轴馈电 |
| 2.4.3 微带传输线馈电 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 基于 BST 铁电薄膜的可调谐微带天线的设计研究 |
| 3.1 可调谐微带天线设计原理 |
| 3.1.1 可调谐微带天线的设计基础 |
| 3.1.2 引入 BST 铁电薄膜对微带天线调谐作用的意义 |
| 3.2 可调谐微带天线的加载方式 |
| 3.2.1 加载 BST 铁电薄膜的方式选取 |
| 3.2.2 加载 BST 铁电薄膜的可调谐天线结构 |
| 3.3 可调谐微带天线方案设计 |
| 3.3.1 设计方案 |
| 3.3.2 可调谐微带天线的软件仿真 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于 BST 铁电薄膜的可调谐微带天线的设计实现 |
| 4.1 可调谐矩形微带贴片天线的设计实现 |
| 4.1.1 矩形微带贴片天线的理论计算 |
| 4.1.1.1 介质基片的选择 |
| 4.1.1.2 长度 L 和宽带 W 的计算 |
| 4.1.1.3 馈电方式的选择 |
| 4.1.1.4 阻抗匹配方式的选择 |
| 4.1.2 矩形微带贴片天线的建模与仿真实现 |
| 4.1.2.1 矩形微带贴片天线的建模 |
| 4.1.2.2 贴片长度 L 和宽带 W 的优化 |
| 4.1.2.3 矩形微带贴片天线的阻抗匹配 |
| 4.1.3 加载 BST 铁电材料的可调谐矩形微带天线的仿真结果分析 |
| 4.1.4 小结 |
| 4.2 可调谐矩形微带天线阵列的设计实现 |
| 4.2.1 矩形微带天线阵列的理论计算 |
| 4.2.1.1 参数选取 |
| 4.2.1.2 馈电方式的选择 |
| 4.2.1.3 阻抗匹配方式的选择 |
| 4.2.2 矩形微带天线阵列的建模与仿真实现 |
| 4.2.2.1 矩形微带天线阵列的建模 |
| 4.2.2.2 矩形微带天线阵列的阻抗匹配 |
| 4.2.3 加载 BST 铁电材料的矩形微带天线阵列的仿真结果分析 |
| 4.2.4 小结 |
| 4.3 可调谐八木微带天线的设计实现 |
| 4.3.1 八木微带天线的理论计算 |
| 4.3.1.1 基本原理 |
| 4.3.1.2 参数选取 |
| 4.3.2 八木微带天线的建模与仿真实现 |
| 4.3.2.1 八木天线的建模 |
| 4.3.2.2 巴伦模型及天线设计 |
| 4.3.3 加载 BST 材料的可调谐八木天线的仿真结果分析 |
| 4.3.4 小结 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（9）基于BST薄膜的可调微波滤波器设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 可调滤波器的分类以及工作原理 |
| 1.2.1 YIG 铁氧体可调滤波器 |
| 1.2.2 腔体式可调滤波器 |
| 1.2.3 半导体二极管可调滤波器 |
| 1.2.4 MEMS 可调滤波器 |
| 1.2.5 铁电可调滤波器 |
| 1.3 铁电材料及铁电滤波器的研究现状 |
| 1.4 论文主要研究内容 |
| 第二章 微带型梳状线带通可调滤波器设计 |
| 2.1 梳状线滤波器设计原理 |
| 2.2 滤波器电路设计 |
| 2.2.1 谐振器基本参数确定 |
| 2.2.2 谐振器间微带耦合参数设计 |
| 2.2.3 微带接地设计 |
| 2.2.4 滤波器平面仿真 |
| 2.3 滤波器物理结构设计 |
| 2.3.1 BST 电容结构设计 |
| 2.3.3 滤波器的物理结构 |
| 2.3.4 集成隔直偏压的滤波器 EM 仿真 |
| 2.4 工艺误差对器件性能的影响 |
| 2.4.1 电极尺寸误差对器件性能的影响 |
| 2.4.2 薄膜工艺误差对器件性能的影响 |
| 2.4.3 电镀金厚度对器件性能的影响 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 微带半波长开环带通可调滤波器设计 |
| 3.1 半开环可调滤波器设计原理 |
| 3.2 滤波器的电路结构设计 |
| 3.2.1 谐振器基本参数确定 |
| 3.2.2 滤波器外部 Q 值及耦合系数提取 |
| 3.2.3 滤波器接地线设计 |
| 3.2.4 滤波器偏压设计 |
| 3.2.5 滤波器物理结构版图 |
| 3.3 滤波器整体仿真及调谐 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 BST 可调滤波器的制作与性能分析 |
| 4.1 滤波器完整工艺制作流程 |
| 4.2 多晶 BST 薄膜层制作流程与图形化 |
| 4.2.1 BST 薄膜的制备方法分类及特点 |
| 4.2.2 BST 薄膜的制备与处理 |
| 4.3 上电极的制备与处理 |
| 4.4 可调滤波器的测试与分析 |
| 4.4.1 低频电容测试结果与分析 |
| 4.4.2 器件性能测试结果与分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻硕期间取得的研究成果 |
四、BST铁电薄膜压控微波器件（论文参考文献）
- [1]钛酸锶钡铁电可调微波介质材料的研究[D]. 陈含笑. 湖北师范大学, 2021(12)
- [2]BaZr0.2Ti0.8O3和BaSn0.15Ti0.85O3薄膜脉冲激光沉积法制备及介电性能研究[D]. 张杰令. 河南大学, 2017(06)
- [3]脉冲激光沉积法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其介电性能的研究[D]. 陈生田. 河南大学, 2016(03)
- [4]BMT/PZT复合薄膜的制备及性能研究[D]. 吕纯. 武汉理工大学, 2015(01)
- [5]铁电薄膜可调微带带通滤波器的研制[D]. 谭宇. 电子科技大学, 2015(03)
- [6]微带天线加载BST铁电薄膜可重构技术研究[D]. 朱典全. 电子科技大学, 2014(03)
- [7]L波段可调滤波器的制作与优化[D]. 秦超. 电子科技大学, 2014(03)
- [8]基于BST铁电薄膜的可调谐微带天线机理及其关键技术的研究[D]. 程从琳. 电子科技大学, 2013(01)
- [9]基于BST薄膜的可调微波滤波器设计[D]. 王文君. 电子科技大学, 2013(01)
- [10]铁电（Ba,Sr）TiO3及介电Bi2O3-ZnO-Nb2O5薄膜材料应用于电调谐微波器件研究进展[J]. 徐云辉,朱小红,李娜,王旭,何豫生. 真空电子技术, 2012(03)